Gated three-terminal device architecture to eliminate persistent photoconductivity in oxide semiconductor photosensor arrays

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标题	Gated three-terminal device architecture to eliminate persistent photoconductivity in oxide semiconductor photosensor arrays 氧化物半导体光电传感器阵列中消除持续光电导的门控三端器件结构相关领域材料科学光电子学光电导性光电探测器半导体薄膜晶体管无定形固体晶体管图层（电子）电压纳米技术化学物理量子力学有机化学
网址	https://doi.org/10.1038/nmat3256
DOI	10.1038/nmat3256 doi
其它	期刊：Nature Materials 作者：Sanghun Jeon; Seung-Eon Ahn; Ihun Song; Chang Jung Kim; U‐In Chung; et al 出版日期：2012-02-24
求助人	DMC北风过境在 2025-01-15 10:31:28 发布自北京，悬赏 10 积分
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