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 A Fully Analytical Current Model for Gate–Source Overlap Tunneling FETs as the Ternary Devices 栅源重叠隧穿场效应晶体管作为三元器件的全解析电流模型
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Zhijun Lv; Hongliang Lü; Chen Liu; Yuming Zhang; Yimen Zhang; et al 出版日期：2022-08-09 |
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