| 标题 |
 Role of Threshold Voltage Shift in Highly Accelerated Power Cycling Tests for SiC MOSFET Modules 阈值电压漂移在SiCMOS模块高加速功率循环测试中的作用
相关领域
动力循环
材料科学
温度循环
碳化硅
负偏压温度不稳定性
结温
阈值电压
电压
MOSFET
功率MOSFET
电压降
电气工程
可靠性（半导体）
光电子学
功率（物理）
复合材料
工程类
晶体管
物理
量子力学
热的
气象学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics 作者：Haoze Luo; Francesco Iannuzzo; Marcello Turnaturi 出版日期：2020-06-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
带头大哥
shinysparrow
rosalieshi
HEIKU
嗯哼
art888
坚强的广山
SinU
Cloud
乐乐乐乐乐乐
薰硝壤
sissiarno
Singularity
Puan
YifanWang
juni12
猪猪hero
蓝胖子
粗犷的沛容
陈军
皖公网安备34019202002308
