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Technology Reliability Qualification of a 65nm CMOS Cu/Low-k BEOL Interconnect
65 nmCOMS铜/低k BMEL互连的技术可靠性鉴定
相关领域
随时间变化的栅氧化层击穿
可靠性(半导体)
电迁移
互连
生产线后端
材料科学
CMOS芯片
可靠性工程
节点(物理)
制作
介电强度
压力(语言学)
过程集成
电介质
过程(计算)
电子工程
计算机科学
光电子学
电气工程
工程类
栅极电介质
晶体管
工艺工程
电压
复合材料
功率(物理)
操作系统
物理
医学
量子力学
病理
结构工程
语言学
计算机网络
替代医学
哲学
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期刊: 作者:F. Chen; B. Li; Tae‐Gon Lee; C. Christiansen; J. Gill; et al 出版日期:2006-07-01 |
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