In-situ R DS(on) Characterization and Lifetime Projection of GaN HEMTs Under Repetitive Overvoltage Switching

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标题	In-situ R DS(on) Characterization and Lifetime Projection of GaN HEMTs Under Repetitive Overvoltage Switching 重复过压开关下GaN HEMTs的原位R DS（on）表征及寿命预测相关领域过电压超调（微波通信）计算机科学拓扑（电路）电气工程工程类电压电信
网址	https://doi.org/10.1109/tpel.2023.3290117
DOI	10.1109/tpel.2023.3290117 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Power Electronics 作者：Ruizhe Zhang; Ricardo Alexandrino Garcia; Robert Strittmatter; Yuhao Zhang; Shengke Zhang 出版日期：2023-09-01
求助人	liuchuck 在 2024-10-24 12:57:28 发布自湖南，悬赏 10 积分
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