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 Overcoming the Unfavorable Effects of “Boltzmann Tyranny”: Ultra‐Low Subthreshold Swing in Organic Phototransistors via One‐Transistor‐One‐Memristor Architecture 克服玻尔兹曼暴政的不利影响：单晶体管单忆阻结构有机光电晶体管的超低亚阈值摆幅
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期刊：Advanced Materials 作者：Shuyuan Yang; Jiangyan Yuan; Zhaofeng Wang; Xianshuo Wu; Xianfeng Shen; et al 出版日期：2024-02-28 |
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