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[高分]
 Simulation-Based Understanding of “Charge-Sharing Phenomenon” Induced by Heavy-Ion Incident on a 65nm Bulk CMOS Memory Circuit 65nm大块CMOS存储电路重离子入射电荷共享现象的仿真研究
相关领域
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重离子
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离子
材料科学
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电气工程
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期刊：IEICE transactions on electronics 作者：Akifumi Maru; Akifumi Matsuda; S. Kuboyama; Mamoru Yoshimoto 出版日期：2022-01-01 |
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