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标题
Impact of Body Doping and Thickness on the Performance of Germanium-Source TFETs
体掺杂和厚度对锗源TFET性能的影响
相关领域
锗 兴奋剂 量子隧道 晶体管 场效应晶体管 光电子学 材料科学 物理 凝聚态物理 硅 量子力学 电压
网址
https://doi.org/10.1109/ted.2010.2049215
DOI
10.1109/ted.2010.2049215 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Electron Devices
作者：Sung Hwan Kim; Zachery A. Jacobson; Tsu‐Jae King Liu
出版日期：2010-06-07
求助人
心云 在 2024-12-27 12:50:30 发布自上海，悬赏 10 积分
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