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 Theoretical Study on Structural and Electronic Properties of Interstitial Oxygen Defects in Amorphous Indium Gallium Oxide for Transistor Reliability 用于晶体管可靠性的非晶铟镓氧化物中间隙氧缺陷结构和电子性质的理论研究
相关领域
镓
可靠性（半导体）
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期刊： 作者：Chitra Pandy; Masaharu Kobayashi 出版日期：2024-09-02 |
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