Influence of Nitrogen Concentration on Self‐Compliance Resistive Switching in Ta/SiNx/Pt RRAM Devices

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标题	Influence of Nitrogen Concentration on Self‐Compliance Resistive Switching in Ta/SiNx/Pt RRAM Devices 氮浓度对Ta/SiNx/Pt RRAM器件自顺应电阻开关的影响相关领域电阻随机存取存储器悬空债券材料科学氮气光电子学 CMOS芯片导电体电压纳米技术分析化学（期刊）凝聚态物理电气工程化学硅复合材料物理工程类有机化学色谱法
网址	https://doi.org/10.1002/pssa.201800201
DOI	10.1002/pssa.201800201 doi
其它	期刊：physica status solidi (a) 作者：Hai Xia Gao; Peng Jiang; Zhen Fei Zhang; Mei Yang; Xiao Hua; et al 出版日期：2018-06-20
求助人	感动的念双在 2025-02-24 17:11:42 发布自天津，悬赏 10 积分
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