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专利、报告等 Method for plasma etching wafer chamfering of silicon carbide wafer in high frequency electronic device, involves performing plasma etch on chamfer area of silicon to form chamfer zone in silicon carbide wafer, and removing mask on surface of silicon carbide wafer
一种用于高频电子器件中碳化硅晶片的等离子蚀刻晶片倒角的方法，包括对硅的倒角区域进行等离子蚀刻以在碳化硅晶片中形成倒角区，并去除碳化硅晶片表面上的掩模
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