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Marked improvement in reliability of 150 °C processed IGZO thin-film transistors by applying hydrogenated IGZO as a channel material
通过应用氢化IGZO作为沟道材料显著提高了150℃处理的IGZO薄膜晶体管的可靠性
相关领域
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期刊:Applied Physics Express 作者:Daichi Koretomo; Shuhei Hamada; Marin Mori; Yusaku Magari; Mamoru Furuta 出版日期:2020-05-19 |
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