Self-rectifying memristors with high rectification ratio and dynamic linearity for in-memory computing

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标题	Self-rectifying memristors with high rectification ratio and dynamic linearity for in-memory computing 10.1063/5.0225833 相关领域整改记忆电阻器线性材料科学光电子学计算机科学纳米技术电气工程工程类电压
网址	https://doi.org/10.1063/5.0225833
DOI	10.1063/5.0225833 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Guobin Zhang; Z. G. Wang; Xuemeng Fan; Zhen Wang; Pengtao Li; et al 出版日期：2024-09-23
求助人	黎明在 2024-12-21 16:49:16 发布自湖北，悬赏 10 积分
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